发明授权
US07343462B2 Method for using non-volatile memory and electronics device thereof
有权
使用非易失性存储器及其电子设备的方法
- 专利标题： Method for using non-volatile memory and electronics device thereof
- 专利标题（中）： 使用非易失性存储器及其电子设备的方法
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申请号： US10904184申请日： 2004-10-28
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公开(公告)号： US07343462B2公开(公告)日： 2008-03-11
- 发明人: Ying-Chih Yang , Yu-Chi Chen , Yuan-Ning Chen , Chien-Min Chen
- 申请人： Ying-Chih Yang , Yu-Chi Chen , Yuan-Ning Chen , Chien-Min Chen
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： Sunplus Technology Co., Ltd.
- 当前专利权人： Sunplus Technology Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 代理机构： Jianq Chyun IP Office
- 优先权： TW93121576A 20040720
- 主分类号： G06F12/02
- IPC分类号： G06F12/02
摘要：
A method for using non-volatile memory and an electronics device thereof is provided. The method includes the following steps. First, a non-volatile memory pre-loaded with a plurality of original data is provided. When updating the original data with new data, if free space is available in the non-volatile memory, then the new data is written into the free space. If free space is not available, all the updated original data is written into the erased non-volatile memory.
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