发明授权
- 专利标题： Semiconductor laser device and method for fabricating the same
- 专利标题（中）： 半导体激光器件及其制造方法
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申请号： US11079526申请日： 2005-03-15
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公开(公告)号： US07356060B2公开(公告)日： 2008-04-08
- 发明人: Atsunori Mochida
- 申请人： Atsunori Mochida
- 申请人地址： JP Osaka
- 专利权人： Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
- 当前专利权人： Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Osaka
- 代理机构： McDermott Will & Emery LLP
- 优先权： JP2004-072579 20040315
- 主分类号： H01S5/00
- IPC分类号： H01S5/00
摘要：
A semiconductor laser device includes a MQW active layer, a p-type cladding layer formed on the MQW active layer, having a ridge portion and having a smaller refractive index than that of the MQW active layer, a plurality of dielectric films formed at least on part of the p-type cladding layer extending from each side of the ridge portion.
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