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US07385229B2 Flip-chip light emitting diode with a thermally stable multiple layer reflective p-type contact 有权
倒装芯片发光二极管，具有热稳定的多层反射型p型接触

  • 专利标题： Flip-chip light emitting diode with a thermally stable multiple layer reflective p-type contact
  • 专利标题（中）： 倒装芯片发光二极管，具有热稳定的多层反射型p型接触
  • 申请号： US11482362
    申请日： 2006-07-07
  • 公开(公告)号： US07385229B2
    公开(公告)日： 2008-06-10
  • 发明人: Hari S. Venugopalan
  • 申请人： Hari S. Venugopalan
  • 申请人地址： US OH Valley View
  • 专利权人： Lumination LLC
  • 当前专利权人： Lumination LLC
  • 当前专利权人地址： US OH Valley View
  • 代理机构： Fay Sharpe LLP
  • 主分类号： H01L33/00
  • IPC分类号： H01L33/00
Flip-chip light emitting diode with a thermally stable multiple layer reflective p-type contact
摘要：
A p-type contact (30) is disclosed for flip chip bonding and electrically contacting a p-type group III-nitride layer (28) of a group III-nitride flip chip light emitting diode die (10) with a bonding pad (60). A first palladium layer (42) is disposed on the p-type group III-nitride layer (28). The first palladium layer (42) is diffused through a native oxide of the p-type group III-nitride layer (28) to make electrical contact with the p-type group III-nitride layer (28). A reflective silver layer (44) is disposed on the first palladium layer (42). A second palladium layer (46) is disposed on the silver layer (44). A bonding stack (48) including at least two layers (50, 52, 54) is disposed on the second palladium layer (46). The bonding stack (48) is adapted for flip chip bonding the p-type layer (28) to the bonding pad (60).
摘要（中）：

公开了用于倒装芯片接合的p型触点（30），并且使III族氮化物倒装芯片发光二极管管芯（10）的p型III族氮化物层（28）与接合焊盘（60）电接触 ）。 第一钯层（42）设置在p型III族氮化物层（28）上。 第一钯层（42）通过p型III族氮化物层（28）的天然氧化物扩散以与p型III族氮化物层（28）电接触。 反射银层（44）设置在第一钯层（42）上。 第二钯层（46）设置在银层（44）上。 包括至少两层（50,52,54）的粘合堆叠（48）设置在第二钯层（46）上。 接合堆叠（48）适于将p型层（28）倒装成键合到接合焊盘（60）。

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