发明授权
- 专利标题： Multi-transistor memory cells
- 专利标题（中）： 多晶体管存储单元
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申请号： US11387490申请日： 2006-03-23
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公开(公告)号： US07440334B2公开(公告)日： 2008-10-21
- 发明人: Hans-Joachim Barth , Alexander Olbrich , Martin Ostermayr , Klaus Schrüfer
- 申请人： Hans-Joachim Barth , Alexander Olbrich , Martin Ostermayr , Klaus Schrüfer
- 申请人地址： DE Munich
- 专利权人： Infineon Technologies
- 当前专利权人： Infineon Technologies
- 当前专利权人地址： DE Munich
- 代理机构： Brinks Hofer Gilson & Lione
- 优先权： DE10344604 20030925
- 主分类号： G11C11/34
- IPC分类号： G11C11/34
摘要：
A memory cell having three transistors and a capacitor having metallic electrodes is described. Multiple memory cells may be arranged in a memory unit or array. Collective electrodes may be used in a space-saving embodiment of the capacitor.
公开/授权文献
- US20060164876A1 Multi-transistor memory cells 公开/授权日：2006-07-27
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