发明授权
US07462436B2 Positive photoresist composition and method of forming resist pattern
有权
正型光致抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法
- 专利标题： Positive photoresist composition and method of forming resist pattern
- 专利标题（中）： 正型光致抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法
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申请号： US10564510申请日： 2004-07-13
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公开(公告)号： US07462436B2公开(公告)日： 2008-12-09
- 发明人: Yasuo Masuda , Toshiki Okui
- 申请人： Yasuo Masuda , Toshiki Okui
- 申请人地址： JP Kawasaki-shi
- 专利权人： Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
- 当前专利权人： Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Kawasaki-shi
- 代理机构： Knobbe, Martens, Olson & Bear LLP
- 优先权： JP2003-197873 20030716; JP2003-197874 20030716
- 国际申请： PCT/JP2004/010270 WO 20040713
- 国际公布： WO2005/007719 WO 20050127
- 主分类号： G03F7/023
- IPC分类号： G03F7/023 ; G03F7/30
摘要：
There is provided a positive photoresist composition capable of forming a pattern with excellent resolution, excellent resistance to reflection off the substrate, and excellent perpendicularity. The positive photoresist composition comprises (A) an alkali-soluble novolak resin in which a portion of the hydrogen atoms of all the phenolic hydroxyl groups are substituted with 1,2-naphthoquinonediazidesulfonyl groups, and (B) a dissolution promoter represented by a general formula (b-1) and/or a general formula (b-11) shown below.
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