发明授权
- 专利标题： Layout structure for use in flash memory device
- 专利标题（中）： 用于闪存设备的布局结构
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申请号： US11409950申请日： 2006-04-25
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公开(公告)号： US07463518B2公开(公告)日： 2008-12-09
- 发明人: Jung-Hoon Park
- 申请人： Jung-Hoon Park
- 申请人地址： KR Suwon-si, Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si, Gyeonggi-do
- 代理机构： Volentine & Whitt, PLLC
- 优先权： KR10-2005-0077480 20050823
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04
摘要：
A flash memory device includes a core region, high-voltage pump regions disposed at one side of the core region, and a peripheral control region disposed at one side of the core region and between the high-voltage pump regions.
公开/授权文献
- US20070047285A1 Layout structure for use in flash memory device 公开/授权日：2007-03-01
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