发明授权
- 专利标题： Field electrode trench transistor structure with voltage divider
- 专利标题（中）： 具有分压器的场电极沟槽晶体管结构
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申请号： US11468994申请日： 2006-08-31
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公开(公告)号： US07465987B2公开(公告)日： 2008-12-16
- 发明人: Joachim Krumrey , Franz Hirler , Walter Rieger
- 申请人： Joachim Krumrey , Franz Hirler , Walter Rieger
- 申请人地址： AT Villach
- 专利权人： Infineon Technologies Austria AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies Austria AG
- 当前专利权人地址： AT Villach
- 代理机构： Dicke, Billig & Czaja, PLLC
- 优先权： DE102005041257 20050831
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108
摘要：
A trench transistor structure having a field electrode arrangement formed in trenches is disclosed. In one embodiment, the field electrode arrangement is conductively connected to subvoltage taps of a voltage divider for the purpose of stabilizing the potentials on a longer time scale than dynamic charge reversal processes.
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