发明授权
- 专利标题： Multi-layered metal line of semiconductor device having excellent diffusion barrier and method for forming the same
- 专利标题（中）： 具有优异扩散阻挡层的半导体器件的多层金属线及其形成方法
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申请号： US11755814申请日： 2007-05-31
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公开(公告)号： US07531902B2公开(公告)日： 2009-05-12
- 发明人: Jeong Tae Kim , Baek Mann Kim , Soo Hyun Kim , Young Jin Lee , Dong Ha Jung
- 申请人： Jeong Tae Kim , Baek Mann Kim , Soo Hyun Kim , Young Jin Lee , Dong Ha Jung
- 申请人地址： KR Kyoungki-do
- 专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人地址： KR Kyoungki-do
- 代理机构： Ladas & Parry LLP
- 优先权： KR10-2006-0137251 20061228
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L21/4763
摘要：
A multi-layered metal line of a semiconductor device has a lower metal line and an upper metal line. The upper metal line includes a diffusion barrier, which is made of a stack of a first WNx layer, a WCyNx layer and a second WNx layer.
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