Method of fabricating etch-stopped SOI back-gate contact

发明授权

US07534668B2 Method of fabricating etch-stopped SOI back-gate contact 有权

标题翻译：制造蚀刻停止的SOI背栅极接触的方法

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专利标题： Method of fabricating etch-stopped SOI back-gate contact
专利标题（中）： 制造蚀刻停止的SOI背栅极接触的方法
申请号： US10417627

申请日： 2003-04-17
公开(公告)号： US07534668B2

公开(公告)日： 2009-05-19
发明人: Theodore W. Houston
申请人： Theodore W. Houston
申请人地址： US TX Dallas
专利权人： Texas Instruments Incorporated
当前专利权人： Texas Instruments Incorporated
当前专利权人地址： US TX Dallas
代理商 Frederick J. Telecky, Jr.; Wade J. Brady, III
主分类号： H01L21/84
IPC分类号： H01L21/84 ; H01L21/00

Method of fabricating etch-stopped SOI back-gate contact

摘要：

The buried oxide region has a layer added which etches selectively with respect to oxide, allowing the contacts to a gate or to a back gate to be created without overetching into the buried oxide region.

摘要（中）：

掩埋氧化物区域具有相对于氧化物选择性地蚀刻的层，允许在没有过蚀刻进入掩埋氧化物区域的情况下产生与栅极或后栅极的接触。

公开/授权文献

US20030173621A1 Etch-stopped SOI back-gate contact 公开/授权日：2003-09-18

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84	.....衬底不是半导体的，例如绝缘体