发明授权
- 专利标题： Programmable resistive memory with diode structure
- 专利标题（中）： 具有二极管结构的可编程电阻存储器
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申请号： US11871813申请日： 2007-10-12
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公开(公告)号： US07551473B2公开(公告)日： 2009-06-23
- 发明人: Hsiang-Lan Lung , Chung Hon Lam , Matthew J. Breitwisch
- 申请人： Hsiang-Lan Lung , Chung Hon Lam , Matthew J. Breitwisch
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： Macronix International Co., Ltd.
- 当前专利权人： Macronix International Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 代理机构： Haynes Beffel & Wolfeld LLP
- 代理商 Kenta Suzue
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00
摘要：
Programmable resistive memory cells are accessed by semiconductor diode structures. Manufacturing methods and integrated circuits for programmable resistive elements with such diode structures are also disclosed.
公开/授权文献
- US20090095948A1 Programmable Resistive Memory with Diode Structure 公开/授权日：2009-04-16
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