发明授权
- 专利标题： Semiconductor memory device
- 专利标题（中）： 半导体存储器件
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申请号： US12106892申请日： 2008-04-21
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公开(公告)号： US07551485B2公开(公告)日： 2009-06-23
- 发明人: Mitsuaki Honma , Noboru Shibata
- 申请人： Mitsuaki Honma , Noboru Shibata
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C.
- 优先权： JP2005-090860 20050328
- 主分类号： G11C16/06
- IPC分类号： G11C16/06
摘要：
A semiconductor memory device includes: a memory cell array having a plurality of memory cells arranged therein; and a sense amplifier circuit configured to read data of the memory cell array, wherein a comparison operation is performed between read out data from the memory cell array and externally supplied expectance data in the sense amplifier circuit.
公开/授权文献
- US20080198659A1 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 公开/授权日：2008-08-21
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