发明授权
- 专利标题： Polarizing photolithography system
- 专利标题（中）： 极化光刻系统
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申请号： US11163481申请日： 2005-10-20
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公开(公告)号： US07560199B2公开(公告)日： 2009-07-14
- 发明人: Sia Kim Tan , Qunying Lin , Gek Soon Chua , Liang-Choo Hsia
- 申请人： Sia Kim Tan , Qunying Lin , Gek Soon Chua , Liang-Choo Hsia
- 申请人地址： SG Singapore
- 专利权人： Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
- 当前专利权人： Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
- 当前专利权人地址： SG Singapore
- 代理商 Mikio Ishimaru
- 主分类号： G03F1/00
- IPC分类号： G03F1/00
摘要：
A polarizing photolithography reticle system is provided including providing a reticle substrate, forming polarization structures on the reticle substrate, and etching circuit patterns on the reticle substrate on a side opposite the polarization structures.
公开/授权文献
- US20070092839A1 POLARIZING PHOTOLITHOGRAPHY SYSTEM 公开/授权日：2007-04-26