发明授权
US07560394B2 Nanodots formed on silicon oxide and method of manufacturing the same
有权
在氧化硅上形成的纳米点及其制造方法
- 专利标题： Nanodots formed on silicon oxide and method of manufacturing the same
- 专利标题（中）： 在氧化硅上形成的纳米点及其制造方法
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申请号： US11183240申请日： 2005-07-18
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公开(公告)号： US07560394B2公开(公告)日： 2009-07-14
- 发明人: Young-soo Park , Wan-jun Park , Alexander Alexandrovich Saranin , Andrey Vadimovich Zotov
- 申请人： Young-soo Park , Wan-jun Park , Alexander Alexandrovich Saranin , Andrey Vadimovich Zotov
- 申请人地址： KR Suwon-si, Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si, Gyeonggi-do
- 代理机构： Lee & Morse, P.C.
- 优先权： KR10-2004-0055617 20040716
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/469 ; H01L29/06 ; H01L29/788 ; H01L21/20
摘要：
A nanodot material including nanodots formed on silicon oxide, and a method of manufacturing the same, is provided. The nanodot material includes a substrate, a silicon oxide layer, and a plurality of nanodots on the silicon oxide layer.
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