Method of manufacturing semiconductor device

发明授权

US07572729B2 Method of manufacturing semiconductor device 失效

标题翻译：制造半导体器件的方法

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专利标题： Method of manufacturing semiconductor device
专利标题（中）： 制造半导体器件的方法
申请号： US11635909

申请日： 2006-12-08
公开(公告)号： US07572729B2

公开(公告)日： 2009-08-11
发明人: Il Young Kwon
申请人： Il Young Kwon
申请人地址： KR Icheon-si
专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
当前专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
当前专利权人地址： KR Icheon-si
代理机构： Marshall, Gerstein & Borun LLP
优先权： KR10-2006-0031497 20060406
主分类号： H01L21/4763
IPC分类号： H01L21/4763

摘要：

A method of manufacturing semiconductor devices, including the steps of forming an insulating layer on a semiconductor substrate in which predetermined structures are formed, and etching the insulating layer to expose a predetermined region of the semiconductor substrate, thereby forming a contact hole, forming an insulating layer on the sides of the contact hole, and forming a conductive layer within the contact hole, forming a contact plug. It is possible to prevent a short problem by sufficiently securing a distance between a drain contact plug and a virtual power line.

摘要（中）：

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在形成有预定结构的半导体衬底上形成绝缘层，并蚀刻绝缘层以暴露半导体衬底的预定区域，从而形成接触孔，形成绝缘层在接触孔的侧面上形成导电层，形成接触插塞。可以通过充分确保漏极接触插头和虚拟电源线之间的距离来防止短的问题。

公开/授权文献

US20070238286A1 Method of manufacturing semiconductor device 公开/授权日：2007-10-11

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）