Semiconductor diode and IGBT

发明授权

US07635909B2 Semiconductor diode and IGBT 有权

标题翻译：半导体二极管和IGBT

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专利标题： Semiconductor diode and IGBT
专利标题（中）： 半导体二极管和IGBT
申请号： US11023040

申请日： 2004-12-23
公开(公告)号： US07635909B2

公开(公告)日： 2009-12-22
发明人: Anton Mauder , Hans-Joachim Schulze , Frank Pfirsch , Elmar Falck , Josef Lutz
申请人： Anton Mauder , Hans-Joachim Schulze , Frank Pfirsch , Elmar Falck , Josef Lutz
申请人地址： DE Munich
专利权人： Infineon Technologies AG
当前专利权人： Infineon Technologies AG
当前专利权人地址： DE Munich
代理机构： Maginot Moore & Beck
优先权： DE10361136 20031223
主分类号： H01L29/866
IPC分类号： H01L29/866 ; H01L29/06

摘要：

A semiconductor diode has an anode, a cathode and a semiconductor volume provided between anode and cathode. A plurality of semiconductor zones are formed in the semiconductor volume, which semiconductor zones are inversely doped with respect to their immediate surroundings, spaced apart from one another and provided in the vicinity of the cathode. The semiconductor zones are spaced apart from the cathode.

摘要（中）：

半导体二极管具有阳极，阴极和设置在阳极和阴极之间的半导体体积。在半导体体积中形成多个半导体区域，这些半导体区域相对于它们的紧邻环境被反向掺杂，彼此间隔开并设置在阴极附近。半导体区域与阴极间隔开。

公开/授权文献

US20050161746A1 Semiconductor diode and IGBT 公开/授权日：2005-07-28

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/86	..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/861	...二极管
H01L29/866	....齐纳二极管