发明授权
- 专利标题： Manufacturing method of semiconductor-on-insulator region structures
- 专利标题（中）： 绝缘体上半导体区域结构的制造方法
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申请号： US11713553申请日： 2007-03-02
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公开(公告)号： US07638844B2公开(公告)日： 2009-12-29
- 发明人: Stéphane Monfray , Aomar Halimaoui , Philippe Coronel , Damien Lenoble , Claire Fenouillett-Beranger
- 申请人： Stéphane Monfray , Aomar Halimaoui , Philippe Coronel , Damien Lenoble , Claire Fenouillett-Beranger
- 申请人地址： FR Mountouge FR Paris
- 专利权人： STMicroelectronics S.A.,Commissariat à l'énergie atomique
- 当前专利权人： STMicroelectronics S.A.,Commissariat à l'énergie atomique
- 当前专利权人地址： FR Mountouge FR Paris
- 代理机构： Wolf, Greenfield & Sacks, P.C.
- 代理商 Lisa K. Jorgenson; James H. Morris
- 主分类号： H01L23/62
- IPC分类号： H01L23/62 ; H01L21/00
摘要：
A single-crystal silicon region on insulator on silicon intended to receive at least one component, the insulator having overthicknesses.
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