发明授权
- 专利标题： High holding voltage dual direction ESD clamp
- 专利标题（中）： 高保持电压双向ESD钳位
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申请号： US11376492申请日： 2006-03-15
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公开(公告)号： US07639464B1公开(公告)日： 2009-12-29
- 发明人: Vladislav Vashchenko , Peter J. Hopper
- 申请人： Vladislav Vashchenko , Peter J. Hopper
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： National Semiconductor Corporation
- 当前专利权人： National Semiconductor Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理商 Jurgen K. Vollrath
- 主分类号： H02H9/00
- IPC分类号： H02H9/00 ; H02H3/20
摘要：
In a dual direction ESD protection structure, first and second NMOS devices are serially connected back-to-back by connecting their drains or their sources using a common floating interconnect, while ensuring that the devices remain isolated from each other.
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