发明授权
- 专利标题： Capacitor supported precharging of memory digit lines
- 专利标题（中）： 电容器支持对存储器数字线进行预充电
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申请号： US12228459申请日： 2008-08-12
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公开(公告)号： US07663952B2公开(公告)日： 2010-02-16
- 发明人: Shigeki Tomishima
- 申请人： Shigeki Tomishima
- 申请人地址： US ID Boise
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US ID Boise
- 代理机构： Ropes & Gray LLP
- 代理商 Jeffrey H. Ingerman; Chia-Hao La
- 优先权： JP2004-236245 20040813
- 主分类号： G11C7/00
- IPC分类号： G11C7/00
摘要：
Circuits and methods are provided for precharging pairs of memory digit lines. The final precharge voltage of the digit lines is different from the average of the digit line voltages prior to precharging. The final precharge voltage can be set by appropriately selecting the size of a capacitor in the precharge circuit.
公开/授权文献
- US20090003038A1 Capacitor supported precharching of memory digit lines 公开/授权日：2009-01-01
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