发明授权
- 专利标题： Field-effect transistor
- 专利标题（中）： 场效应晶体管
-
申请号： US11709690申请日： 2007-02-23
-
公开(公告)号： US07687828B2公开(公告)日： 2010-03-30
- 发明人: Hisayoshi Matsuo , Tetsuzo Ueda
- 申请人： Hisayoshi Matsuo , Tetsuzo Ueda
- 申请人地址： JP Osaka
- 专利权人： Panasonic Corporation
- 当前专利权人： Panasonic Corporation
- 当前专利权人地址： JP Osaka
- 代理机构： McDermott Will & Emery LLP
- 优先权： JP2006-113786 20060417; JP2006-179088 20060629
- 主分类号： H01L31/072
- IPC分类号： H01L31/072
摘要：
A field-effect transistor has a so-called double heterostructure which is formed such that a channel layer through which electrons travel is provided between an electron supply layer and a liner layer, wherein a forbidden band width of the liner layer and a forbidden band width of the electron supply layer are broader than a forbidden bandwidth of the channel layer.
公开/授权文献
- US20070272945A1 Field-effect transistor 公开/授权日：2007-11-29
信息查询
IPC分类:
