发明授权
- 专利标题： Single damascene structure semiconductor device having silicon-diffused metal wiring layer
- 专利标题（中）： 具有硅扩散金属布线层的单镶嵌结构半导体器件
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申请号： US10650193申请日： 2003-08-28
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公开(公告)号： US07687917B2公开(公告)日： 2010-03-30
- 发明人: Koichi Ohto , Toshiyuki Takewaki , Tatsuya Usami , Nobuyuki Yamanishi
- 申请人： Koichi Ohto , Toshiyuki Takewaki , Tatsuya Usami , Nobuyuki Yamanishi
- 申请人地址： JP Kanagawa
- 专利权人： NEC Electronics Corporation
- 当前专利权人： NEC Electronics Corporation
- 当前专利权人地址： JP Kanagawa
- 代理机构： Sughrue Mion, PLLC
- 优先权： JP2002-132780 20020508; JP2002-302841 20021017; JP2003-130484 20030505
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48
摘要：
In a semiconductor device, an insulating interlayer having a groove is formed on an insulating underlayer. A silicon-diffused metal layer including no metal silicide is buried in the groove. A metal diffusion barrier layer is formed on the silicon-diffused metal layer and the insulating interlayer.
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