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US07701795B2 Controlling execution of additional function during a refresh operation in a semiconductor memory device 有权
在半导体存储器件的刷新操作期间控制附加功能的执行

  • 专利标题： Controlling execution of additional function during a refresh operation in a semiconductor memory device
  • 专利标题（中）： 在半导体存储器件的刷新操作期间控制附加功能的执行
  • 申请号： US11811601
    申请日： 2007-06-11
  • 公开(公告)号： US07701795B2
    公开(公告)日： 2010-04-20
  • 发明人: Dong-Woo Lee , Jung-Yong Choi
  • 申请人： Dong-Woo Lee , Jung-Yong Choi
  • 申请人地址： KR Suwon-si
  • 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
  • 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
  • 当前专利权人地址： KR Suwon-si
  • 优先权： KR10-2006-0054272 20060616
  • 主分类号： G11C7/00
  • IPC分类号： G11C7/00
Controlling execution of additional function during a refresh operation in a semiconductor memory device
摘要：
A semiconductor memory device includes a mode register, an additional function executer, and an additional function controller. The mode register activates an additional function control signal when a mode register set code indicates that an additional function is to be executed concurrently with a refresh operation. The additional function controller controls the additional function executer to carry out the additional function concurrently with the refresh operation when the additional function control signal is activated.
摘要（中）：

半导体存储器件包括模式寄存器，附加功能执行器和附加功能控制器。 当模式寄存器组代码指示要与刷新操作同时执行附加功能时，模式寄存器激活附加功能控制信号。 当附加功能控制信号被激活时，附加功能控制器控制附加功能执行器与刷新操作同时执行附加功能。

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