发明授权
- 专利标题： Silicon nitride film forming method
- 专利标题（中）： 氮化硅膜形成方法
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申请号： US11764745申请日： 2007-06-18
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公开(公告)号： US07704556B2公开(公告)日： 2010-04-27
- 发明人: Hitoshi Morisaki , Yasushi Kamiya , Shuji Nomura , Masahiro Totuka , Tomoki Oku , Ryo Hattori
- 申请人： Hitoshi Morisaki , Yasushi Kamiya , Shuji Nomura , Masahiro Totuka , Tomoki Oku , Ryo Hattori
- 申请人地址： JP Kawasaki-Shi, Kanagawa
- 专利权人： Canon Anelva Corporation
- 当前专利权人： Canon Anelva Corporation
- 当前专利权人地址： JP Kawasaki-Shi, Kanagawa
- 代理机构： Buchanan Ingersoll & Rooney PC
- 优先权： JP2002-118773 20020422
- 主分类号： C23C16/34
- IPC分类号： C23C16/34
摘要：
The silicon nitride film forming method deposits a silicon nitride film on the substrate surface by maintaining the heating element at a predetermined temperature and by decomposing and/or activating a raw material gas supplied from the gas supply system.
公开/授权文献
- US20080020140A1 Silicon Nitride Film Forming Method 公开/授权日：2008-01-24
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IPC分类:
