发明授权
- 专利标题： System and method for photolithography in semiconductor manufacturing
- 专利标题（中）： 半导体制造中的光刻系统和方法
-
申请号： US11259589申请日： 2005-10-26
-
公开(公告)号： US07723014B2公开(公告)日： 2010-05-25
- 发明人: Kuei Shun Chen , Chin-Hsiang Lin , Tsai-Cheng Gau , Chun-Kung Chen , Hsiao-Tzu Lu , Fu-Jye Liang
- 申请人： Kuei Shun Chen , Chin-Hsiang Lin , Tsai-Cheng Gau , Chun-Kung Chen , Hsiao-Tzu Lu , Fu-Jye Liang
- 申请人地址： TW Hsin-Chu
- 专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
- 当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
- 代理机构： Haynes and Boone, LLP
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20
摘要：
A method for photolithography in semiconductor manufacturing includes providing a substrate for a wafer and providing a mask for exposing the wafer. The wafer is exposed by utilizing a combination of high angle illumination and focus drift exposure methods.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
