发明授权
- 专利标题： Method for fabricating a three-dimensional capacitor
- 专利标题（中）： 制造三维电容器的方法
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申请号： US11207711申请日： 2005-08-22
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公开(公告)号： US07732851B2公开(公告)日： 2010-06-08
- 发明人: Jung-hyun Lee , Sung-ho Park , Sang-jun Choi
- 申请人： Jung-hyun Lee , Sung-ho Park , Sang-jun Choi
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： Harness, Dickey & Pierce, P.L.C.
- 优先权： KR10-2004-0065876 20040820
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108
摘要：
A capacitor and a method of fabricating the capacitor are provided herein. The capacitor can be formed by forming two or more dielectric layers and a lower electrode, wherein at least one of the two or more dielectric layers is formed before the lower electrode is formed.
公开/授权文献
- US20060040444A1 Method for fabricating a three-dimensional capacitor 公开/授权日：2006-02-23
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IPC分类:
