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发明授权
US07745232B2 Semiconductor device and method of manufacturing the same 有权
半导体装置及其制造方法

Semiconductor device and method of manufacturing the same
摘要：
According to the present invention, contact plugs are formed by a CVD method without deteriorating the properties of the ferroelectric capacitor in a semiconductor device having a fine ferroelectric capacitor. Adhesive film is formed in a contact hole, which exposes an upper electrode of the ferroelectric capacitor after conducting heat treatment in an oxidizing atmosphere, and a W layer is deposited by the CVD method using such TiN adhesive film as a hydrogen barrier and the contact hole is filled.
摘要（中）：

根据本发明，通过CVD方法形成接触插塞，而不会劣化具有精细铁电电容器的半导体器件中的强电介质电容器的特性。 在接触孔中形成粘合膜，该接触孔在氧化气氛中进行热处理后露出强电介质电容器的上部电极，并且通过使用这种TiN粘合膜作为氢气阻挡层的CVD法沉积W层，并且接触孔 充满。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8239 ........存储器结构
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