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US07771902B2 Photomask, fabrication method for the same and pattern formation method using the same 失效
光掩模，相同的制造方法和使用该掩模的图案形成方法

  • 专利标题： Photomask, fabrication method for the same and pattern formation method using the same
  • 专利标题（中）： 光掩模，相同的制造方法和使用该掩模的图案形成方法
  • 申请号： US11884451
    申请日： 2007-02-27
  • 公开(公告)号： US07771902B2
    公开(公告)日： 2010-08-10
  • 发明人: Akio Misaka
  • 申请人： Akio Misaka
  • 申请人地址： JP Osaka
  • 专利权人： Panasonic Corporation
  • 当前专利权人： Panasonic Corporation
  • 当前专利权人地址： JP Osaka
  • 代理机构： McDermott Will & Emery LLP
  • 优先权： JP2006-063753 20060309
  • 国际申请： PCT/JP2007/053604 WO 20070227
  • 国际公布： WO2007/102338 WO 20070913
  • 主分类号： G03F1/00
  • IPC分类号： G03F1/00 ;  H01L21/00
Photomask, fabrication method for the same and pattern formation method using the same
摘要：
A mask pattern including, for example, a light-shielding portion 101 and a first transparent portion 104A surrounded with a semi-light-shielding portion 102 are provided on a transparent substrate 100. The mask pattern includes a first pattern region and a second pattern region opposing each other with the semi-light-shielding portion 102 and the first transparent portion 104A sandwiched therebetween.
摘要（中）：

包括例如遮光部分101和由半光屏蔽部分102围绕的第一透明部分104A的掩模图案设置在透明基板100上。掩模图案包括第一图案区域和第二图案 区域与半遮光部分102和夹在其间的第一透明部分104A相对。

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