发明授权
- 专利标题： Method of manufacturing an epitaxial semiconductor substrate and method of manufacturing a semiconductor device
- 专利标题（中）： 外延半导体基板的制造方法及半导体装置的制造方法
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申请号： US11192085申请日： 2005-07-29
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公开(公告)号： US07776723B2公开(公告)日： 2010-08-17
- 发明人: Ho Lee , DongSuk Shin , Tetsuji Ueno , Seung-Hwan Lee , Hwa-Sung Rhee
- 申请人： Ho Lee , DongSuk Shin , Tetsuji Ueno , Seung-Hwan Lee , Hwa-Sung Rhee
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： Harness, Dickey & Pierce, P.L.C.
- 优先权： KR2005-0011459 20050207
- 主分类号： H01L21/322
- IPC分类号： H01L21/322
摘要：
In an example embodiment of the method of manufacturing an epitaxial semiconductor substrate, a gettering layer is grown over a semiconductor substrate. An epitaxial layer may then be formed over the gettering layer, and a semiconductor device may be formed on the epitaxial layer.
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