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US07777291B2 Integrated circuits having interconnects and heat dissipators based on nanostructures 有权
具有基于纳米结构的互连和散热器的集成电路

  • 专利标题： Integrated circuits having interconnects and heat dissipators based on nanostructures
  • 专利标题（中）： 具有基于纳米结构的互连和散热器的集成电路
  • 申请号： US11511867
    申请日： 2006-08-28
  • 公开(公告)号： US07777291B2
    公开(公告)日： 2010-08-17
  • 发明人: Mohammad Shafiqul Kabir
  • 申请人： Mohammad Shafiqul Kabir
  • 申请人地址： SE Göteborg
  • 专利权人： Smoltek AB
  • 当前专利权人： Smoltek AB
  • 当前专利权人地址： SE Göteborg
  • 代理机构： Fish & Richardson P.C.
  • 优先权： SE0501888 20050826
  • 主分类号： H01L27/095
  • IPC分类号： H01L27/095
Integrated circuits having interconnects and heat dissipators based on nanostructures
摘要：
The present invention provides for nanostructures grown on a conducting or insulating substrate, and a method of making the same. The nanostructures grown according to the claimed method are suitable for interconnects and/or as heat dissipators in electronic devices.
摘要（中）：

本发明提供在导电或绝缘基板上生长的纳米结构及其制造方法。 根据要求保护的方法生长的纳米结构适用于电子器件中的互连和/或散热器。

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