发明授权
US07790351B2 Positive resist composition and pattern making method using the same
有权
正抗蚀剂组合物和使用其的图案制造方法
- 专利标题： Positive resist composition and pattern making method using the same
- 专利标题（中）： 正抗蚀剂组合物和使用其的图案制造方法
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申请号： US12363303申请日： 2009-01-30
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公开(公告)号： US07790351B2公开(公告)日： 2010-09-07
- 发明人: Toshiaki Fukuhara , Shinichi Kanna , Hiromi Kanda
- 申请人： Toshiaki Fukuhara , Shinichi Kanna , Hiromi Kanda
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： FUJIFILM Corporation
- 当前专利权人： FUJIFILM Corporation
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Sughrue Mion, PLLC
- 优先权： JP2005-356716 20051209; JP2006-075069 20060317; JP2006-257554 20060922
- 主分类号： G03F7/00
- IPC分类号： G03F7/00 ; G03F7/004
摘要：
A positive resist composition comprising: (A) a resin showing an increase in the solubility in an alkali developer by the action of an acid; (B) a compound being capable of generating an acid when irradiated with an actinic ray or a radiation; (C) a resin having a silicon-containing repeating unit of a specific structure and being stable to acids but insoluble in an alkali developer; and (D) a solvent; and a pattern making method using the same.
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