Method of forming a semiconductor device having trench charge compensation regions

发明授权

US07799640B2 Method of forming a semiconductor device having trench charge compensation regions 有权

标题翻译：形成具有沟槽电荷补偿区域的半导体器件的方法

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专利标题： Method of forming a semiconductor device having trench charge compensation regions
专利标题（中）： 形成具有沟槽电荷补偿区域的半导体器件的方法
申请号： US11536249

申请日： 2006-09-28
公开(公告)号： US07799640B2

公开(公告)日： 2010-09-21
发明人: John M. Parsey, Jr. , Gordon M. Grivna , Shanghui L. Tu
申请人： John M. Parsey, Jr. , Gordon M. Grivna , Shanghui L. Tu
申请人地址： US AZ Phoenix
专利权人： Semiconductor Components Industries, LLC
当前专利权人： Semiconductor Components Industries, LLC
当前专利权人地址： US AZ Phoenix
代理商 Kevin B. Jackson
主分类号： H01L21/336
IPC分类号： H01L21/336

Method of forming a semiconductor device having trench charge compensation regions

摘要：

In one embodiment, a method of forming a semiconductor device with trench charge compensation structures includes exposing the trench sidewalls to a reduced temperature hydrogen desorption process to enhance the formation of monocrystalline semiconductor layers.

摘要（中）：

在一个实施例中，形成具有沟槽电荷补偿结构的半导体器件的方法包括将沟槽侧壁暴露于降低温度的氢解吸过程以增强单晶半导体层的形成。

公开/授权文献

US20080081440A1 METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRENCH CHARGE COMPENSATION REGIONS 公开/授权日：2008-04-03

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/336	......带有绝缘栅的