发明授权
- 专利标题： Method for manufacturing high efficiency light-emitting diodes
- 专利标题（中）： 制造高效率发光二极管的方法
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申请号： US11602199申请日： 2006-11-21
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公开(公告)号： US07811845B2公开(公告)日： 2010-10-12
- 发明人: Ta-Cheng Hsu , Jung-Min Hwang , Min-Hsun Hsieh , Ya-Lan Yang
- 申请人： Ta-Cheng Hsu , Jung-Min Hwang , Min-Hsun Hsieh , Ya-Lan Yang
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： Epistar Corporation
- 当前专利权人： Epistar Corporation
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 代理机构： Bacon & Thomas, PLLC
- 优先权： TW94140757A 20051121
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
A method for manufacturing a light-emitting device comprising the steps of cutting a light-emitting unit by a laser beam, and cleaning the light-emitting unit by an acid solution to remove by-products resulted from the laser cutting.
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