Alkaline etchant for controlling surface roughness of semiconductor wafer

发明授权

US07851375B2 Alkaline etchant for controlling surface roughness of semiconductor wafer 有权

标题翻译：用于控制半导体晶片表面粗糙度的碱性蚀刻剂

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专利标题： Alkaline etchant for controlling surface roughness of semiconductor wafer
专利标题（中）： 用于控制半导体晶片表面粗糙度的碱性蚀刻剂
申请号： US10599576

申请日： 2005-03-25
公开(公告)号： US07851375B2

公开(公告)日： 2010-12-14
发明人: Sakae Koyata , Kazushige Takaishi
申请人： Sakae Koyata , Kazushige Takaishi
申请人地址： JP Tokyo
专利权人： Sumco Corporation
当前专利权人： Sumco Corporation
当前专利权人地址： JP Tokyo
代理机构： Greenblum & Bernstein, P.L.C.
优先权： JP2004-109870 20040402
国际申请： PCT/JP2005/005527 WO 20050325
国际公布： WO2005/098921 WO 20051020
主分类号： H01L21/302
IPC分类号： H01L21/302

Alkaline etchant for controlling surface roughness of semiconductor wafer

摘要：

An alkali etchant for controlling surface roughness of a semiconductor wafer, which is a sodium hydroxide solution or a potassium hydroxide solution having a weight concentration of 55 wt % to 70 wt %.

摘要（中）：

一种用于控制半导体晶片的表面粗糙度的碱蚀刻剂，其是重量浓度为55重量％至70重量％的氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。

公开/授权文献

US20070298618A1 Alkaline Etchant for Controlling Surface Roughness of Semiconductor Wafer 公开/授权日：2007-12-27

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割