Method of forming a sensing circuit and structure therefor

发明授权

US07852148B2 Method of forming a sensing circuit and structure therefor 有权

标题翻译：形成感测电路及其结构的方法

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专利标题： Method of forming a sensing circuit and structure therefor
专利标题（中）： 形成感测电路及其结构的方法
申请号： US12413271

申请日： 2009-03-27
公开(公告)号： US07852148B2

公开(公告)日： 2010-12-14
发明人: Harold L. Massie , Jarvis Leroy Carter, Sr.
申请人： Harold L. Massie , Jarvis Leroy Carter, Sr.
申请人地址： US AZ Phoenix
专利权人： Semiconductor Components Industries, LLC
当前专利权人： Semiconductor Components Industries, LLC
当前专利权人地址： US AZ Phoenix
代理商 Robert F. Hightower
主分类号： H01L25/00
IPC分类号： H01L25/00

Method of forming a sensing circuit and structure therefor

摘要：

In one embodiment, a sensing circuit includes a sense transistor and a compensation circuit to improve the accuracy of a sensing signal formed by the sensing circuit.

摘要（中）：

在一个实施例中，感测电路包括感测晶体管和补偿电路，以提高由感测电路形成的感测信号的精度。

公开/授权文献

US20100244947A1 METHOD OF FORMING A SENSING CIRCUIT AND STRUCTURE THEREFOR 公开/授权日：2010-09-30

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L25/00	由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）