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US07854824B2 Method of manufacturing semiconductor device using electrochemical deposition with electric current revised by reflectance of every substrate surface and semiconductor manufacturing apparatus 失效
使用通过每个基板表面和半导体制造装置的反射率修正的电流的电化学沉积制造半导体器件的方法

  • 专利标题： Method of manufacturing semiconductor device using electrochemical deposition with electric current revised by reflectance of every substrate surface and semiconductor manufacturing apparatus
  • 专利标题（中）： 使用通过每个基板表面和半导体制造装置的反射率修正的电流的电化学沉积制造半导体器件的方法
  • 申请号： US12068816
    申请日： 2008-02-12
  • 公开(公告)号： US07854824B2
    公开(公告)日： 2010-12-21
  • 发明人: Akira Furuya
  • 申请人： Akira Furuya
  • 申请人地址： JP Kawasaki, Kanagawa
  • 专利权人： Renesas Electronics Corporation
  • 当前专利权人： Renesas Electronics Corporation
  • 当前专利权人地址： JP Kawasaki, Kanagawa
  • 代理机构： McGinn Intellectual Property Law Group, PLLC
  • 优先权： JP2007-045496 20070226
  • 主分类号： C25D21/12
  • IPC分类号： C25D21/12 ;  C25D17/00
Method of manufacturing semiconductor device using electrochemical deposition with electric current revised by reflectance of every substrate surface and semiconductor manufacturing apparatus
摘要：
A method of manufacturing a semiconductor device includes measuring the reflectance at the surface of a semiconductor substrate provided with concave portions and deciding a deposition parameter that represents a deposition condition corresponding to the measured reflectance. Then, a metal film is formed on the semiconductor substrate under a condition corresponding to the deposition parameter.
摘要（中）：

一种制造半导体器件的方法包括测量设​​置有凹部的半导体衬底的表面的反射率，并确定表示对应于所测量的反射率的沉积条件的沉积参数。 然后，在对应于沉积参数的条件下，在半导体衬底上形成金属膜。

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