发明授权
US07863150B2 Method to generate airgaps with a template first scheme and a self aligned blockout mask
有权
使用模板第一方案和自对准遮挡掩码生成气隙的方法
- 专利标题： Method to generate airgaps with a template first scheme and a self aligned blockout mask
- 专利标题（中）： 使用模板第一方案和自对准遮挡掩码生成气隙的方法
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申请号： US11518773申请日： 2006-09-11
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公开(公告)号： US07863150B2公开(公告)日： 2011-01-04
- 发明人: Matthew Earl Colburn , Daniel C. Edelstein , Satya Venkata Nitta , Sampath Purushothaman , Shom Ponth
- 申请人： Matthew Earl Colburn , Daniel C. Edelstein , Satya Venkata Nitta , Sampath Purushothaman , Shom Ponth
- 申请人地址： US NY Armonk
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： US NY Armonk
- 代理机构： Nugent & Smith, LLP
- 代理商 Theresa O'Rourke Nugent
- 主分类号： H01L21/76
- IPC分类号： H01L21/76
摘要：
A structure and method to produce an airgap on a substrate having a dielectric layer with a pattern transferred onto the dielectric layer and a self aligned block out mask transferred on the dielectric layer around the pattern.
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