发明授权
- 专利标题： Integrated MEMS resonator device
- 专利标题（中）： 集成MEMS谐振器装置
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申请号： US11680849申请日： 2007-03-01
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公开(公告)号： US07868403B1公开(公告)日： 2011-01-11
- 发明人: Tony Ivanov , Julio Costa , Jonathan Hale Hammond
- 申请人： Tony Ivanov , Julio Costa , Jonathan Hale Hammond
- 申请人地址： US NC Greensboro
- 专利权人： RF Micro Devices, Inc.
- 当前专利权人： RF Micro Devices, Inc.
- 当前专利权人地址： US NC Greensboro
- 代理机构： Withrow & Terranova, P.L.L.C.
- 主分类号： H01L27/14
- IPC分类号： H01L27/14
摘要：
The present invention provides a method for manufacturing a micro-electro-mechanical system (MEMS) resonator device using the same device layer, dielectric layer, and conductive layer that is used to create other electrical devices in a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process.
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