发明授权
- 专利标题： Optical lithography correction process
- 专利标题（中）： 光学光刻校正过程
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申请号： US11101872申请日： 2005-04-09
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公开(公告)号： US07882456B2公开(公告)日： 2011-02-01
- 发明人: Franz Xaver Zach
- 申请人： Franz Xaver Zach
- 申请人地址： US CA San Jose
- 专利权人： Cadence Design Systems, Inc.
- 当前专利权人： Cadence Design Systems, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA San Jose
- 代理机构： Richter & Hampton LLP
- 代理商 Sheppard Mullin
- 主分类号： G06F17/50
- IPC分类号： G06F17/50 ; G06F9/45
摘要：
A apparatus and method for correcting a process critical layout includes characterizing the influence of individual ones of a set of worst case process variations on a simulated nano-circuit layout design and then correcting layout geometries in the simulated nano-circuit layout based on such characterizations.
公开/授权文献
- US20060236271A1 Optical lithography correction process 公开/授权日：2006-10-19
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