发明授权
- 专利标题： Semiconductor memory device and data sensing method thereof
- 专利标题（中）： 半导体存储器件及其数据感测方法
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申请号： US12219494申请日： 2008-07-23
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公开(公告)号： US07898881B2公开(公告)日： 2011-03-01
- 发明人: Jung-Hwa Choi , Byung-Sik Moon
- 申请人： Jung-Hwa Choi , Byung-Sik Moon
- 申请人地址： KR Suwon-si, Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si, Gyeonggi-do
- 代理机构： Lee & Morse, P.C.
- 优先权： KR10-2007-0073599 20070723
- 主分类号： G11C7/00
- IPC分类号： G11C7/00
摘要：
A semiconductor memory device includes first and second edge drivers configured to generate sensing control signals, a memory cell array between first and second edge drivers, and pluralities of unit sense amplifiers detecting data from the memory cell array in response to the sensing control signals.
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