发明授权
- 专利标题： Piezoelectric thin film device
- 专利标题（中）： 压电薄膜器件
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申请号： US12771173申请日： 2010-04-30
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公开(公告)号： US07902730B2公开(公告)日： 2011-03-08
- 发明人: Kenji Shibata , Fumihito Oka
- 申请人： Kenji Shibata , Fumihito Oka
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Hitachi Cable, Ltd.
- 当前专利权人： Hitachi Cable, Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Antonelli, Terry, Stout & Kraus, LLP.
- 优先权： JP2008-013974 20080124
- 主分类号： H01L41/083
- IPC分类号： H01L41/083
摘要：
A sensor or actuator includes a piezoelectric thin film device including a lower electrode, a piezoelectric thin film and an upper electrode, and a voltage detecting device connected between the lower and upper electrodes of the piezoelectric thin film device. The piezoelectric thin film is formed of an alkali niobium oxide-based perovskite material expressed by (K1-xNax)NbO3 (0
公开/授权文献
- US20100237745A1 Piezoelectric Thin Film Device 公开/授权日：2010-09-23
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IPC分类:
