发明授权
US07924594B2 Data writing and reading method for memory device employing magnetic domain wall movement
失效
采用磁畴壁运动的存储器件的数据写入和读取方法
- 专利标题： Data writing and reading method for memory device employing magnetic domain wall movement
- 专利标题（中）： 采用磁畴壁运动的存储器件的数据写入和读取方法
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申请号： US12801094申请日： 2010-05-21
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公开(公告)号： US07924594B2公开(公告)日： 2011-04-12
- 发明人: Chee-Kheng Lim , Eun-sik Kim
- 申请人： Chee-Kheng Lim , Eun-sik Kim
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： Harness, Dickey & Pierce, P.L.C.
- 优先权： KR10-2006-0089649 20060915
- 主分类号： G11C19/00
- IPC分类号： G11C19/00
摘要：
A method of data recording and reading for a memory device employing magnetic domain wall movement. The memory device includes a writing track, an interconnecting layer formed on the writing track, and a recording track formed on the interconnecting layer.
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