发明授权
- 专利标题： Lateral oxidation with high-K dielectric liner
- 专利标题（中）： 高K电介质衬里的横向氧化
-
申请号： US12124794申请日： 2008-05-21
-
公开(公告)号： US07932150B2公开(公告)日： 2011-04-26
- 发明人: Takeshi Watanabe , Ryosuke Iijima
- 申请人： Takeshi Watanabe , Ryosuke Iijima
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Turocy & Watson, LLP
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336
摘要：
Disclosed are methods of making and using a high-K dielectric liner to facilitate the lateral oxidation of a high-K gate dielectric, integrated circuit structures containing the high-K dielectric liner and/or oxidized high-K gate dielectric, and other associated methods.
公开/授权文献
- US20090289306A1 LATERAL OXIDATION WITH HIGH-K DIELECTRIC LINER 公开/授权日：2009-11-26
信息查询
IPC分类:
