发明授权
- 专利标题： Circuit and method of generating voltage of semiconductor memory apparatus
- 专利标题（中）： 电路和半导体存储装置的电压产生方法
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申请号： US12575663申请日： 2009-10-08
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公开(公告)号： US07936633B2公开(公告)日： 2011-05-03
- 发明人: Khil-Ohk Kang
- 申请人： Khil-Ohk Kang
- 申请人地址： KR Gyeonggi-Do
- 专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-Do
- 代理机构： Venable LLP
- 代理商 Jeffri A. Kaminski
- 优先权： KR10-2006-0112257 20061114
- 主分类号： G11C5/14
- IPC分类号： G11C5/14
摘要：
A circuit for generating a voltage of a semiconductor memory apparatus includes a control unit that outputs a driving control signal in response to an enable signal and a burn-in signal, a first voltage generating unit that generates and outputs a first voltage in response to the enable signal, and a voltage maintaining unit that maintains the first voltage in response to the driving control signal.
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