发明授权
US07955876B2 Method for simulating deposition film shape and method for manufacturing electronic device
有权
用于模拟沉积膜形状的方法和用于制造电子器件的方法
- 专利标题： Method for simulating deposition film shape and method for manufacturing electronic device
- 专利标题（中）： 用于模拟沉积膜形状的方法和用于制造电子器件的方法
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申请号： US11859152申请日： 2007-09-21
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公开(公告)号： US07955876B2公开(公告)日： 2011-06-07
- 发明人: Shigeru Kinoshita
- 申请人： Shigeru Kinoshita
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Pearne & Gordon LLP
- 优先权： JP2007-056281 20070306
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66
摘要：
A deposition film shape simulation method for calculating a thickness of a thin-film formed by supplying deposition species on a substrate surface, includes: changing a parameter to be used in the calculation depending on the thickness of the deposited thin-film.
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