Method of making semiconductor devices employing first and second carriers

发明授权

US07955954B2 Method of making semiconductor devices employing first and second carriers 有权

标题翻译：制造采用第一和第二载体的半导体器件的方法

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专利标题： Method of making semiconductor devices employing first and second carriers
专利标题（中）： 制造采用第一和第二载体的半导体器件的方法
申请号： US12102175

申请日： 2008-04-14
公开(公告)号： US07955954B2

公开(公告)日： 2011-06-07
发明人: Stefan Landau , Joachim Mahler , Thomas Wowra
申请人： Stefan Landau , Joachim Mahler , Thomas Wowra
申请人地址： DE Neubiberg
专利权人： Infineon Technologies AG
当前专利权人： Infineon Technologies AG
当前专利权人地址： DE Neubiberg
代理机构： Dicke, Billig & Czaja, PLLC
主分类号： H01L21/301
IPC分类号： H01L21/301

Method of making semiconductor devices employing first and second carriers

摘要：

A semiconductor device and method. One embodiment provides an integral array of first carriers and an integral array of second carries connected to the integral array of first carriers. First semiconductor chips are arranged on the integral array of first carriers. The integral array of second carriers is arranged over the first semiconductor chips.

摘要（中）：

半导体器件和方法。一个实施例提供了第一载体的整体阵列和连接到第一载体的整体阵列的第二载体的整体阵列。第一半导体芯片布置在第一载体的整体阵列上。第二载体的整体阵列布置在第一半导体芯片上。

公开/授权文献

US20090256247A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD INCLUDING FIRST AND SECOND CARRIERS 公开/授权日：2009-10-15

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/301	.....把半导体再细分成分离部分，例如分隔（切割入H01L21/304）