发明授权
- 专利标题： Trench IGBT with depletion stop layer
- 专利标题（中）： 具有耗尽阻挡层的沟槽IGBT
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申请号： US11265489申请日： 2005-11-02
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公开(公告)号： US07956419B2公开(公告)日： 2011-06-07
- 发明人: Richard Francis , Chiu Ng
- 申请人： Richard Francis , Chiu Ng
- 申请人地址： US CA El Segundo
- 专利权人： International Rectifier Corporation
- 当前专利权人： International Rectifier Corporation
- 当前专利权人地址： US CA El Segundo
- 代理机构： Farjami & Farjami LLP
- 主分类号： H01L23/62
- IPC分类号： H01L23/62
摘要：
A very low VCEON non punch through trench IGBT built-in non-epitaxial float zone silicon has a depletion stop layer structure added to its bottom surface.
公开/授权文献
- US20070096167A1 Trench IGBT with depletion stop layer 公开/授权日：2007-05-03
信息查询
IPC分类:
