发明授权
- 专利标题： ESD protection bipolar device with internal avalanche diode
- 专利标题（中）： 具有内部雪崩二极管的ESD保护双极型器件
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申请号： US11652982申请日： 2007-01-12
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公开(公告)号： US07973386B1公开(公告)日： 2011-07-05
- 发明人: Vladislav Vashchenko , Vladimir Kuznetsov , Peter J. Hopper
- 申请人： Vladislav Vashchenko , Vladimir Kuznetsov , Peter J. Hopper
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： National Semiconductor Corporation
- 当前专利权人： National Semiconductor Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理商 Jurgen K. Vollrath
- 主分类号： H01L29/66
- IPC分类号： H01L29/66
摘要：
In a bipolar device an intrinsic Zener like diode is formed for controlling the triggering voltage and leakage current, the Zener-like diode being formed between the n-collector and the p-base, wherein the collector implant and base diffusion overlap at least partially.
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