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发明授权
US07985675B2 Method for fabricating a semiconductor device that includes processing an insulating film to have an upper portion with a different composition than an other portion 有权
一种制造半导体器件的方法，包括处理绝缘膜以具有与其它部分不同的组成的上部

  • 专利标题： Method for fabricating a semiconductor device that includes processing an insulating film to have an upper portion with a different composition than an other portion
  • 专利标题（中）： 一种制造半导体器件的方法，包括处理绝缘膜以具有与其它部分不同的组成的上部
  • 申请号： US12251984
    申请日： 2008-10-15
  • 公开(公告)号： US07985675B2
    公开(公告)日： 2011-07-26
  • 发明人: Kotaro Nomura , Makoto Tsutsue
  • 申请人： Kotaro Nomura , Makoto Tsutsue
  • 申请人地址： JP Osaka
  • 专利权人： Panasonic Corporation
  • 当前专利权人： Panasonic Corporation
  • 当前专利权人地址： JP Osaka
  • 代理机构： McDermott Will & Emery LLP
  • 优先权： JP2007-291561 20071109
  • 主分类号： H01L21/4763
  • IPC分类号： H01L21/4763
Method for fabricating a semiconductor device that includes processing an insulating film to have an upper portion with a different composition than an other portion
摘要：
A semiconductor device includes: a semiconductor substrate; a first insulating film (third insulating film 24) formed on the semiconductor substrate, having a first trench (second interconnect trench 28), and having a composition ratio varying along the depth from an upper face of the first insulating film; and a first metal interconnect (second metal interconnect 25) filling the first trench (second interconnect trench 28). The mechanical strength in an upper portion of the first insulating film (third insulating film 24) is higher than that in the other portion of the insulating film (third insulating film 24).
摘要（中）：

半导体器件包括：半导体衬底; 形成在所述半导体基板上的第一绝缘膜（第三绝缘膜24），具有第一沟槽（第二互连沟槽28），并且具有从所述第一绝缘膜的上表面沿深度变化的组成比; 以及填充第一沟槽（第二互连沟槽28）的第一金属互连（第二金属互连25）。 第一绝缘膜（第三绝缘膜24）的上部的机械强度高于绝缘膜（第三绝缘膜24）的其他部分的机械强度。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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