发明授权
- 专利标题： Method of operating semiconductor devices
- 专利标题（中）： 操作半导体器件的方法
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申请号： US12585540申请日： 2009-09-17
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公开(公告)号： US07990779B2公开(公告)日： 2011-08-02
- 发明人: Sang-moo Choi , Won-joo Kim , Tae-hee Lee
- 申请人： Sang-moo Choi , Won-joo Kim , Tae-hee Lee
- 申请人地址： KR Gyeongg-do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Gyeongg-do
- 代理机构： Harness, Dickey & Pierce, PLC
- 优先权： KR10-2008-0111216 20081110
- 主分类号： G11C7/00
- IPC分类号： G11C7/00
摘要：
A method of operating a semiconductor device including a memory cell of a 1-T DRAM is provided in which a gate voltage level in a hold mode is adjusted to adjust a data sensing margin of the semiconductor device.
公开/授权文献
- US20100118623A1 Method of operating semiconductor devices 公开/授权日：2010-05-13
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