发明授权
US07998843B2 Method of forming amorphous silicon layer and method of fabricating LCD using the same
有权
形成非晶硅层的方法和使用其制造LCD的方法
- 专利标题： Method of forming amorphous silicon layer and method of fabricating LCD using the same
- 专利标题（中）： 形成非晶硅层的方法和使用其制造LCD的方法
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申请号： US12398978申请日： 2009-03-05
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公开(公告)号： US07998843B2公开(公告)日： 2011-08-16
- 发明人: Tae-Hyung Hwang , Hyung-Il Jeon , Seok-Joon Hong
- 申请人： Tae-Hyung Hwang , Hyung-Il Jeon , Seok-Joon Hong
- 申请人地址： KR
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR
- 代理机构： Innovation Counsel LLP
- 优先权： KR2008-0093370 20080923
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
Methods and systems for forming an amorphous silicon layer are disclosed for one or more embodiments. For example, a substrate may be provided, and an amorphous silicon layer, in which a ratio of Si—H to Si—H2 has a value equal to or less than 4 to 1, may be formed on the substrate using chemical vapor deposition equipment.
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