发明授权
- 专利标题： Thin film transistor substrate and fabricating method thereof
- 专利标题（中）： 薄膜晶体管基板及其制造方法
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申请号： US12836369申请日： 2010-07-14
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公开(公告)号： US08013974B2公开(公告)日： 2011-09-06
- 发明人: Ji Hyun Jung
- 申请人： Ji Hyun Jung
- 申请人地址： KR Seoul
- 专利权人： LG Display Co., Ltd.
- 当前专利权人： LG Display Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Seoul
- 代理机构： Brinks Hofer Gilson & Lione
- 优先权： KR10-2005-0135044 20051230
- 主分类号： G02F1/1345
- IPC分类号： G02F1/1345
摘要：
A thin film transistor substrate and a fabricating method that includes an opening hole that separates a gate shorting line connected to a gate shorting bar used upon a lighting-inspecting of a gate line into an odd and an even gate shorting line is provided.
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